钙盐沉淀法处理集成电路工业含氟废水影响因素研究.pdf

维普资讯 环境科学导刊 2007，26(4)：35—38 CN53—1205／X ISSN1673—9655 钙盐沉淀法处理集成 电路 工业含氟废水影响因素研究 程 刚，黄翔峰，刘 佳，陆丽君，刘 开 (同济大学环境科学与工程学院污染控制与资源化研究国家重点实验室，上海 200092) 摘 要：研究了钙盐的投加量、pH值以及反应后的静置时间等因素在常温下对氢氧化钙和氯化钙两 种钙盐用于处理某集成电路_v-_,lk含氟废水的影响。结果表明，氢氧化钙在处理该废水过程中优于氯化钙； 当达到理论投加量的200％时，pH=8．0左右，静置60min后，处理初始氟浓度为500mg／L的集成电路工 业废水，其 出水可以达到污水排放一级标准。 关键词：钙盐沉淀法；含氟废水；废水处理；影响因素 中图分类号：X703 文献标识码：A 文章编号：1673—9655 (2007)04—0035—40 集成电路工业生产过程中，对有关电子元件的 尔比 [ca ]：[F一]=1：2为 100％)。针对每一 蚀刻、化学机械研磨和清洗 以及对焊接边缘进行的 个氢氧化钙或氯化钙投加量，向每个废水量为 抛光处理等，需要大量使用氢氟酸，会产生含有不 200ml的6个烧杯 中投加氢氧化钙或氯化钙 ，并用 同氟浓度的废水。研究钙盐沉淀法处理集成电路工 0．1mol／L的盐酸调pH值，使废水的pH值分别为 业含氟废水的影响因素，对于工程项 目的设计以及 3．5、5．0、6．5、8．0、9．5、11，快速搅拌反应 最终处理效果的控制和优化运行管理等方面有着重 45min(转速为 150r／min)后，分别静置 0、30、 要意义。笔者针对某集成电路工业废水选择常用的 60、90、120min时，分别测 6个烧杯 中水样的滤 可溶性钙盐氢氧化钙、氯化钙在常温下进行除氟试 液残余氟浓度 (mg／L)。 验，研究了钙盐投加量、反应 pH值和静置时间等 1．5 检测项 目与方法 在不同工况下对除氟的影响规律，从而选择最优钙 F一浓度采用离子选择电极法测定 (国标 GB／ 盐并确定其用于化学沉淀除氟的最佳工艺参数。 T7484—87)。 1 试验材料与方法 2 实验结果与分析 1．1 试验用水 2．1 氢氧化钙沉淀除氟试验研究 试验用水为上海某大规模集成电路生产工艺废 2．1．1 试验结果 水，其主要污染物为 F一，浓度为450～550mg／L， 不同氢氧化钙投加量的试验结果如图1、图2 pH值为 10．5～11．5。 所示。投加量从 100％增加到200％时，除氟效果 1．2 试验材料 明显变好，但并非投量越多越利于除氟，当投加量 氢氧化钙 (Ca(OH))：分析纯化学试剂， 为200％时试验获得最佳处理效果；当增加投加量 配成50gCa／L，现配现用。氯化钙 (CaC1)：分析 为250％时，如图1(d)所示，仅pH8．0，静置 纯化学试剂，配成 40gCa／L，现配现用。上述药剂 90rain后残氟浓度才可降到9mg／L左右，勉强达到 根据试验方案设计的投药量投加。采用 HC1和 排放标准，说明该投加量差于 200％时的除氟效 NaOH根据需要调节pH值。 果；试验所得到的最低残氟浓度接近理论最低值 1．3 试验设备 (注：CaF 在溶液 中的溶解度 以F一表示 即为 六联搅拌机、pH计、F一选择电极。