半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类.docxVIP

Q/LB.□XXXXX-XXXX PAGE 2 ICS FORMTEXT 31.080.99 CCS FORMTEXT L 90 中华人民共和国国家标准 FORMTEXT GB/T FORMTEXT XXXXX.1— FORMTEXT XXXX/IEC 63068-1:2019 FORMTEXT ????? FORMTEXT 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 FORMTEXT Semiconductor device-Non-destructive recognition criteria of defects in silicon carbide homoepitaxial wafer for power devices –Part 1: Classification of defects FORMTEXT (IEC 63068-1:2019，IDT) FORMDROPDOWN FORMTEXT ????? FORMDROPDOWN FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX发布 FORMTEXT XXXX - FORMTEXT XX - FORMTEXT XX实施 ` STYLEREF 标准文件_文件编号 GB/T XXXXX.1—XXXX/IEC 63068-1:2019 PAGE 17 STYLEREF 标准文件_文件编号 GB/T XXXXX.1—XXXX/IEC 63068-1:2019 目次 TOC \o 1-1 \h \t 标准文件_一级条标题,2,标准文件_二级条标题,3,标准文件_附录一级条标题,2,标准文件_附录二级条标题,3, 前言 II 引言 III 1 范围 1 2 规范性引用文件 1 3 术语和定义 1 4 缺陷分类 6 4.1 概述 7 4.2 缺陷分类说明 7 参考文献 20 前言 本文件按照GB/T 1.1—2020《标准化工作导则 第1部分：标准化文件的结构和起草规则》的规定起草。 本文件是GB/T XXXX《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》的第1部分。GB/T XXXX已经发布了以下部分： —— 第1部分：缺陷分类； —— 第2部分：缺陷的光学检测方法； —— 第3部分：缺陷的光致发光检测方法。 本文件等同采用IEC 63068-1:2019《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类》。 请注意本文件的某些内容可能涉及专利。本文件的发布结构不承担识别专利的责任。 本文件由全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会（SAC/TC203/SC2）归口。 本文件起草单位：中国电子科技集团公司第十三研究所 本文件主要起草人： 引言 碳化硅（SiC）作为典型的宽禁带半导体材料，与硅(Si)相比，具有击穿电场高、导热率高、饱和电子漂移速度高和本征载流子浓度低等优越的物理性能，非常适合在大功率、高温和高频环境下应用，因此广泛应用于新一代功率半导体器件中。SiC基功率半导体器件相对于硅基器件，具有更快的开关速度、低损耗、高阻断电压和耐高温等性能。 SiC外延片是在碳化硅单晶抛光片上经过化学气相沉积反应生长一层导电类型、载流子浓度、厚度和晶格结构都符合要求的碳化硅单晶薄膜，SiC同质外延片中存在的缺陷是衡量SiC外延片质量的重要参数，也直接影响SiC基功率半导体器件的成品率和可靠性，准确识别SiC外延片中的缺陷，对于SiC外延片的制备、使用有重要的意义。目前关于SiC外延片中的缺陷分类及其检测方法，均无统一的标准，需制定国家标准，规范SiC外延片的缺陷分类及其检测方法。 GB/T XXXXX《半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据》旨在确定SiC外延片中的缺陷分类和缺陷检测方法，预计由以下四个部构成： —— 第1部分：缺陷分类； —— 第2部分：缺陷的光学检测方法； —— 第3部分：缺陷的光致发光检测方法； —— 第4部分：缺陷的光学和光致发光综合检测方法。 —— 第5部分：缺陷的X射线形貌检测方法。 半导体器件 功率器件用碳化硅同质外延片缺陷的无损检测识别判据 第1部分：缺陷分类 范围 本文件规定了4H-SiC（碳化硅）外延片中的缺陷分类。缺陷是按晶体学结构进行分类，并通过明场光学显微镜（OM）、光致发光（PL）和X射线形貌(XRT)图像等无损检测方法进行识别。 规范性引用文件 本文件没有规范性引用文件。 术语和定义 下列术语和定义适用于本文件。 3.1 碳化