泓域咨询/襄阳HJT靶材项目可行性研究报告
报告说明
完成钝化接触的非晶硅几乎不具备横向导电性,因此引入了同时具备优异光、电性能的TCO薄膜。目前异质结TCO薄膜制备方法一般有物理气相沉积(PVD)和反应等离子体沉积(RPD)两种方法,PVD应用更加广泛,其原理是电子在电场的作用下,与氩原子发生碰撞,激发出二次电子和Ar+,而后Ar+在电场作用下被加速,以高能量轰击靶材而发生能量交换,靶材表面溅射出原子,最终在异质结电池上沉积成TCO薄膜,由其完成透光、导电功能。
根据谨慎财务估算,项目总投资29393.80万元,其中:建设投资23205.49万元,占项目总投资的78.95%;建设期利息61
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