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埋层硅外延片 1 范围 本文件规定了埋层硅外延片的术语和定义、产品分类、技术要求、试验方法、检验规则以及标志、 包装、运输、贮存、随行文件等。 本文件适用于在埋层衬底上外延生长半导体硅单晶薄膜层获得的晶片，即埋层硅外延片，其产品主 要被用于制作集成电路芯片或半导体硅器件。 2 规范性引用文件 下列文件中的内容通过文中的规范性引用而构成本文件必不可少的条款。其中，注日期的引用文件， 仅该日期对应的版本适用于本文件；不注日期的引用文件，其最新版本 （包括所有的修改单）适用于本 文件。 GB/T 1550 非本征半导体材料导电类型测试方法 GB/T 1555 半导体单晶晶向测定方法 GB/T 2828.1 计数抽样检验程序 第1部分：按接收质量限(AQL)检索的逐批检验抽样计划 GB/T 6617 硅片电阻率测定 扩展电阻探针法 GB/T 6624 硅抛光片表面质量目测检验方法 GB/T 12962 硅单晶 GB/T 12964 硅单晶抛光片 GB/T 13389 掺硼掺磷硅单晶电阻率和掺杂浓度换算规程 GB/T 14139 硅外延片 GB/T 14141 硅外延层、扩散层和离子注入层薄层电阻的测定 直排四探