半导体的基本知识教案.docVIP

第一章半导体二极管 1-1半导体的基本知识 教课目标： 1、认识半导体导电性及特色。 2、初步掌握PN结的基本特征及非线性的实质。 3、熟习二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数。 4、认识特别功能的二极管及应用。 教课要点、难点： 教课要点：1）半导体导电性及特色。 2）PN结的基本特征及非线性的实质 3）二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数。 教课难点：二极管外形和电路符号，伏安特征和主要参数 一、半导体的基本看法 人们依据物质导电性能，平常将各样资料分为导体、绝缘体和半导体三大类。导电性能优秀的物质称为导体，比方金、银、铜、铝等金属资料。另一类是几乎不导电的物质称为绝 缘体，比方陶瓷、橡胶、塑料等资料。再一类是导电性能介于导体与绝缘体之间的物质称为半导体，比方硅(Si)、锗(Ge)、砷化镓等都是半导体。 纯净半导体也叫本征半导体，这类半导体只含有一种原子，且原子按必定规律齐整摆列。如常用半导体资料硅（Si）和锗（Ge）。在常温下，其导电能力很弱；在环境温度高升或有光照时，其导电能力随之加强。 常常在本征半导体中掺入杂质，其目的不纯真是为了提升半导体的导电能力，而是想经过控制杂质掺入量的多少，来控制半导体的导电能力的强弱。 在硅本征半导体中，掺入微量的五价元素(磷或砷)，就形成N型半导体。 在硅本征半导体中，掺入微量的三价元素(铟或硼)，就形成P型半导体。 二、PN结及单导游电性 1、当把一块P型半导体和一块N型半导体用特别工艺密切联合时，在两者的交界面上 会形成一个拥有特别现象的薄层，这个薄层被称为PN结。 2、PN结的单导游电性 1）PN结加正向电压――正导游通 正极接Ｐ区，负极接Ｎ区，称“正向偏置”或正偏。 ２）PN结加反向电压――反向截止 电源负极接Ｐ区，正极接Ｎ区，称“反向电压”或反偏。 ＰＮ结加正向电压导通，加反向电压截止，即ＰＮ结的――单导游电性 1-２半导体二极管 一、二极管的构造、符号和分类 1.二极管的构造、符号 晶体二极管是由一个PN构造成的，从P区引出的电极为二极管正极，N区引出的电极 为二极管负极，用管壳封装起来即成二极管。 二极管的符号用Ｖ表示 ２、二极管的分类 表达书籍上的表１－２ 二极管的命名方法 由五部分构成，见书籍Ｐ４解说 我国半导体器件的型号是依据它的资料、性能、类型来命名的，一般半导体器件的型号由五部分构成。 第一部分——用阿拉伯数字表示器件的电极数目； 第二部分——用汉语拼音字母表示器件的资料和极性； 第三部分——用汉语拼音字母表示器件的种类； 第四部分——用阿拉伯数字表示器件序号； 第五部分——用汉语拼音字母表示规格号。 二、二极管的伏安特征 正向特征（图中OAB段） 当二极管两头所加的正向电压由零开始增大时，在正向电压比较小的范围内，正向 电流很小，二极管体现很大的电阻，如图中OA段，平常把这个范围称为死区，相应的电压叫死区电压。硅二极管的死区电压为左右，锗二极管的死区电压约为～。 ②外加电压超出死区电压此后，二极管体现很小的电阻，正向电流ID快速增添，这时 二极管处于正导游通状态，如图中AB段为导通区，此时管子两头电压降变化不大，该电压值称为正向压降(或管压降)，常温下硅管约为～，锗管约为～。 反向特征（图中OCD段） 当给二极管加反向电压时，所形成的反向电流是很小的，并且在很大范围内基本不 随反向电压的变化而变化，即保持恒定。如曲线OC段称为反向截止区，此处的IR称为反向饱和电流。 ②当反向电压大到必定数值UBR时，反向电流会急剧增大，如图中CD段，这类现象称 为反向击穿，相应的电压叫反向击穿电压。正常使用二极管时（稳压二极管除外），是不同意出现这类现象的，由于击穿后电流过大将会使管子破坏。三、二极管的主要参数 选择二极管时主要考虑以下三个参数；最大整流电流、最高反向工作电压、反向电流。 1、最大整流电流IFM 是二极管同意经过的最大正向工作电流的均匀值。照实质工作时的正向电流均匀值超出 此值，二极管内的PN结可能会过发散热而破坏。 2、最高反向工作电压URM 是二极管同意承受的反向工作电压的峰值。为了留有余量，平常标定的最高反向工作电 压是反向击穿电压的一半或三分之一。 3、反向漏电流IR 是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。这个电流值越小，二极管 单导游电性能越好。 硅是非金属，其反向漏电流较小，在纳安数目级，而锗是金属，其反向漏电流较大，在微安数目级。 表达书上例题１－１ 四、二极管的鉴别与检测 １、鉴别 可依据其外面标记来鉴别管脚极性 ２、二极管的检测 用指针式万用表鉴别二极管的极性和利害。以以下图，将万用表拔至电阻档的R×100 Ω或R×1KΩ档。此时，万用表的红表笔接的是表内电池的负极，黑表笔接的是表内电池的 正极。详细的丈量方法是：将