模拟集成电路设计原理习题讲解.pptxVIP

《模拟集成电路设计原理》习题讲解;期中考试题目讲解 基本的CASCODE共源共栅结构的单级运放 BANDGAP基准电压源电路分析;期中考试题目讲解;3. 解答： a) 由M1的电流可求出M1的输入共模电平，;4. 在差动放大器中，VDD=3V， ;随着Vin增加，Vp就如同源极跟随器的输出端，电位会一起升高。由于M3的电流不变（25uA）,所以它的过驱动电压不变。Vp上升到与F点之间的电压差小于M1的过驱动电压的时候，M1就不再处于饱和区。;解答： b) 忽略M5管的噪声影响，由每个管子的等效输入噪声电压可得每个管子的噪声电流：;5.图中M1为n管，阈值电压为0.7V，衬底接地。 画出Vout关于Vin的函数曲线草图，Vin从0变化到3V； 假设M1工作在饱和区，推导低频和高频下的输出阻抗。;5. 解答：;高频下的小信号分析图如下。此时的寄生电容只考虑如图所示的几个主要电容即可。;基本的CASCODE共源共栅结构的单级运放;普通的电阻为负载;二极管连接的MOS管为负载;带源极负反馈的单级cascode;对于一个正向偏置的三极管，它的集电极电流和阈值电压VBE存在如下关系： (1)其中晶体管的VBE具有负的温度系数，如(2)式所示。 (2)VG0是绝对零度时硅Si的能隙电压，近似等于1.206V，k是Boltzman常数，m也是常数m=2.3，Jc是温度为T时集电极的电流密度。Jc0则是温度T0下的集电极电流密度。VBE0是T0下的结电压，VBE则是温度T下的结电压。;应用简单的一阶VBE公式，取Vbe=.75v , T=300K,并且假定晶体管的集电极电流正比于绝对温度，那么对公式（2）求对温度的偏导：;则Q2支路上的电流就成为PTAT电流，运放输出端的电压为：;;电源直流抑制比PSRR：对电源电压在3.3V+10%，即3.0V～3.6V范围内进行扫描。结果显示在TT情况下PSRR=20log(ΔVdd/ΔVref)=98dB。;温度系数PPM：对温度在－20摄氏度～125摄氏度范围内扫描。同时电源电压在3.0V～3.6V内取5个点，在每个点处对温度进行一次扫描，共得到5条温度扫描线。结果显示在TT情况下温度系数为TC=ΔVref / (ΔT×Vref) ＝3.5ppm/oC。Vref取标准情况VDD=3.3V，T＝300k下的值。 ;左图为典型的SMIC.18 PNP型的BJT的model(参数)。;典型的SMIC.18 PNP型的BJT的model(工艺原理)。;典型的BANDGAP带隙基准电路的版图; THE END THANKS ?