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4468场效应管参数 场效应管（Field-Effect Transistor, FET）是一种电子晶体管，具有比普通晶体管必要的控制接口，它能控制流入或流出放大器定量电流。FET是由三层半导体片加两个门极组成，其中夹在两层半导体片之间的门极可以独立于放大器电流而调节传输比，因此FET在放大器电路中起到放大作用。 FET的参数是FET的重要特征，有助于说明其功能特性，它们可以用来表示FET的特性，其中三个主要参数是VGS(门极偏压)、VDS(源漏偏压)和ID(漏电流)；此外，还有几种重要的特性参数，如：接通电阻、击穿电压、漏极电流、二极管关断时的漏极电流以及门电流。 VGS（门极偏压）是场效应管按电压调节传输比所需要的电压，VDS（源漏偏压）是流入放大器的电流依赖参数，ID（漏电流）是源漏信号的大小的参量，其值与VDS的大小成正比。FET的接通电阻是FET的基本特性之一，它表示在VGS=Vth时通过FET的电阻大小。击穿电压是FET在VGS Vth时的偏压，其门电流为零时，失水。 FET的漏极电流和击穿电压是FET的两个重要参数，它们衡量FET的效率和功耗特性，漏极电流越大，FET的效率就越低，相反，击穿电压越低，效率就越高。漏极电流是处于开路状态时，漏极之间的电流大小；此外，击穿电压正是指在此状态下的电压波动的大小，即漏极之间的电压大小。