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- 2023-03-02 发布于四川
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本申请公开了一种绝缘栅双极晶体管终端，该绝缘栅双极晶体管终端包括：第一导电类型的衬底；位于所述衬底靠近第一表面侧的主结、浮动环、沟道截断环、氧化层；与所述第一表面相对的场截止层；以及位于所述场截止层的下表面侧的电场截止层和阳极区，所述电场截止层至少覆盖所述主结沿垂直于所述电场截止层表面的投影；所述阳极区与所述电场截止层相接；所述浮动环设置在所述主结和所述沟道截断环之间。采用本申请提供的绝缘栅双极晶体管终端，可以避免由于snap‑back现象导致的测试失败的情况，有效提高测试效率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213071146 U
(45)授权公告日 2021.04.27
(21)申请号 202022417666.0
(22)申请日 2020.10.27
(73)专利权人 瑞能半导体科技股份有限公司
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