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一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备.pdfVIP

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  • 2023-03-04 发布于四川
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一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备.pdf

    本实用新型涉及等离子体刻蚀的技术领域，公开了一种压差开关、气体控制箱和半导体处理设备，所述压差开关包括至少两个压力探测机构和压力波动阻尼器，所述压力探测机构的其中一个用于探测第一环境中的压力，另外一个用于探测第二环境中的压力；所述压力波动阻尼器置于至少一个所述压力探测机构中，用于过滤短暂的压力波动。将压力管道中偶尔会产生的短暂的压力波动过滤掉，短暂的压力波动并不会造成安全事故，防止压差开关将短暂的压力波动也判断为压力值异常、不达标从而将设备关闭，从而防止影响生产和报废正在刻蚀的晶圆，造成损失；并

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213184199 U (45)授权公告日 2021.05.11 (21)申请号 202021574414.2 (22)申请日 2020.07.31 (73)专利权人 中微半导体设备（上海）股份有限

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