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- 2023-03-04 发布于四川
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本实用新型公开了高效N型HIBC太阳能电池，包括N型硅衬、第一本征非晶硅层、N型非晶硅层和减反层、及第二本征非晶硅层、掺杂非晶硅层和接触层，N型硅衬底的厚度为160～190μm；第一本征非晶硅层的厚度为1～15nm；N型非晶硅层的厚度为5～20nm；掺杂非晶硅层包括交替间隔设置的P型非晶硅区和N型非晶硅区；第二本征非晶硅层的厚度为1～15nm；掺杂非晶硅层的厚度为0.1～0.4μm，P型非晶硅区的宽度为300～1000μm；N型非晶硅区的宽度为80～220μm，相邻的P型非晶硅区和N型非晶硅区之
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213184320 U
(45)授权公告日 2021.05.11
(21)申请号 202021948246.9 (51)Int.Cl.
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