固体的能带结构.pptVIP

空 带 EA 满 带 受主能级 P型半导体 Si Si Si Si Si Si Si + B Eg 这种靠近满带的附加能级称为受主（acceptor） 能级。 如下图示： 第三十一页，共五十四页，2022年，8月28日 则B 原子浓度～1018 cm? 3 np= 1.5×1010 室温下： 本征激发 杂质激发 导带中电子浓度 nn=1.5×1010cm? 3 满带中空穴浓度 设 Si中B的含量为10－4 + 1018 = 1018 cm? 3 空穴是多数载流子， 电子是少数载流子。 空穴浓度np ～ 受主杂质浓度na 在p型半导体中： Si 原子浓度～1022 cm? 3 第三十二页，共五十四页，2022年，8月28日 3. n型化合物半导体 例如，化合物GaAs中掺Te，六价的Te替代五价的As可形成施主能级，成为n型GaAs杂质半导体。 4. p型化合物半导体 例如，化合物 GaAs中掺Zn，二价的Zn替代三价的Ga可形成受主能级，成为p型GaAs杂质半导体。 第三十三页，共五十四页，2022年，8月28日 三. 杂质的补偿作用 实际的半导体中既有施主杂质（浓度nd），又有受主杂质（浓度na），两种杂质有补偿作用： 若nd ? na——为n型（施主） 若nd ? na——为p型（受主） 利用杂质的补偿作用，可以制成 p-