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- 2023-03-04 发布于北京
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本申请提供了一种红外传感器。所述红外传感器包括:基底以及微桥结构;所述基底两端分别设置有读出电路;所述微桥结构包括桥面及两个桥墩,两个所述桥墩分别设置于所述基底的两端并与相应的读出电路电连接,所述桥面通过两个所述桥墩悬置于所述基底的上方,且所述桥面靠近所述基底的一侧设置有微凸起结构以限制所述微桥结构形变的行程范围,以增强所述红外传感器的抗冲击能力。上述技术方案,通过在所述桥面靠近所述基底的一侧设置微凸起结构,当微桥结构受到冲击而使所述桥面产生向下的形变时,微凸起结构首先与所述基底接触以起到支撑作
(19)国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 218545904 U
(45)授权公告日 2023.02.28
(21)申请号 202222680260.0
(22)申请日 2022.10.11
(73)专利权人 杭州大立微电子有限公司
地址 3
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