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- 2023-03-07 发布于四川
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本实用新型提供了低开关损耗功率MOS器件，包括：漏极金属、设置在漏极金属上表面的外延层、设置在外延层上表面的阱区、设置在阱区内的阱区电极、设置在阱区上表面的源区、连接源区与阱区电极的源极金属以及依次穿过源区以及阱区设置在外延层内的沟槽；沟槽内设置有上栅电极以及下栅电极，上栅电极位于沟槽的上半部分且位于下栅电极的上方，上栅电极为H型，H型包含左右两侧的垂直段以及连接在两个垂直段中间的一个水平段，垂直段与上栅介质接触；上栅电极和下栅电极通过下栅介质隔开，上栅电极通过上栅介质与阱区隔开；下栅电极位于沟
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213278098 U
(45)授权公告日 2021.05.25
(21)申请号 202022641333.6
(22)申请日 2020.11.16
(73)专利权人 深圳市尚芯微电子科技有限公司
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