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- 2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了单晶硅生长用高纯石英热屏，沿石墨外导流筒的顶部开口向外侧延伸设有操作环；在石墨外导流筒内部的底面开设有呈向下凹陷状的定位环槽，高纯石英热屏从石墨外导流筒的顶部开口放置入石墨外导流筒的内部且高纯石英热屏的底部嵌入定位环槽的内部；在高纯石英热屏的外壁和石墨外导流筒的内壁之间隔有填充腔，在填充腔的内部填充有石墨碳毡层；在石墨外导流筒和高纯石英热屏的顶部开口处铺盖固定有上压盖，在上压盖的四周设有封闭环。本实用新型保温性能更好且不会对单晶硅产生任何杂质污染；生产过程相对简单，造价较低，既可
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213327925 U
(45)授权公告日 2021.06.01
(21)申请号 202022126130.3
(22)申请日 2020.09.25
(73)专利权人 廊坊赫尔劳斯太阳能光伏有限公
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