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2023-03-08 发布于四川
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本实用新型公开了一种掩膜版，用于制备HIBC电池的异质结非晶硅层，异质结非晶硅层包括横向呈叉指状排列的P区和N区，其中，P区与N区之间的间隔区为G区，掩膜版包括：板体，板体上设有开口，开口上方设有多个横向间隔排列的遮挡件，多个遮挡件可相对板体横向移动，每一遮挡件包括第一遮挡件和容置于第一遮挡件内的第二遮挡件，第二遮挡件可横向伸出第一遮挡件，第一遮挡件用于遮挡N区、及与N区相邻的G区，第一遮挡件和伸出第一遮挡件的第二遮挡件共同用于遮挡P区、及与P区相邻的G区。本实用新型的掩膜版，以提升掩膜版的使用

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213327796 U (45)授权公告日 2021.06.01 (21)申请号 202021934150.7 (51)Int.Cl.