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一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构.pdfVIP

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  • 2023-03-08 发布于四川
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一种降低侧壁缺陷复合的Micro-LED芯片结构.pdf

    本实用新型公开了一种降低侧壁缺陷复合Micro‑LED芯片结构，在传统Micro‑LED芯片结构基础之上，P型重掺杂半导体材料层仅位于P型半导体材料层上方中间区域；N型材料传输层完全覆盖P型半导体材料层和P型重掺杂半导体材料露出层；N型材料传输层与部分P型半导体材料层直接接触。所述的芯片结构P型半导体材料层边缘暴露部分的面积占其总面积的1％～80％。利用N型材料传输层与P型半导体材料层在接触界面处形成的反偏结，耗尽P型半导体材料层中的空穴，从而减小芯片侧壁区域的非辐射复合效应，同时还能够提高注入

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213304155 U (45)授权公告日 2021.05.28 (21)申请号 202022598639.8 (22)申请日 2020.11.11 (73)专利权人 天津赛米卡尔科技有限公司

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