一种超结MOSFET管电路.pdfVIP

  • 0
  • 0
  • 约3.74千字
  • 约 5页
  • 2023-03-10 发布于北京
  • 举报
本实用新型公开是关于一种超结MOSFET管电路,涉及电气变换装置的零部件技术领域。设置有绕组T1,所述绕组T1与高压电源HV串联,绕组T1与超结场效应管Q1串联接地。本实用新型线路超结场效应管简单、效率高、温升低省掉普通场效应管上的散热器,极大提高生产工艺降低成本,实现自动化作业,可适用于适配器、充电器上。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213426005 U (45)授权公告日 2021.06.11 (21)申请号 202021630807.0 (22)申请日 2020.08.07 (73)专利权人 维睿电子(深圳)有限公司

文档评论(0)

1亿VIP精品文档

相关文档