高二物理杂质半导体的载流子浓度.pptxVIP

杂质半导体的载流子浓度杂质半导体的载流子浓度讨论更接近强电离区更接近本征区杂质半导体的载流子浓度高温本征激发区在此温度下，和本征半导体的情况类似杂质半导体的载流子浓度小结（对于n型半导体）——EF随T的变化杂质半导体的载流子浓度小结——电子浓度n0随T的变化杂质半导体的载流子浓度小结——EF随ND的变化以室温为例，此时杂质几乎全部电离EF——反映半导体的导电类型和掺杂水平本征ND高强n型ND低弱n型NA低弱p型NA高强p型高度补偿杂质半导体的载流子浓度少数载流子浓度多数载流子少数载流子n型半导体电子空穴p型半导体空穴电子杂质半导体的载流子浓度与杂质浓度的关系与温度的关系杂质半导体的载流子浓度基本要求能够写出只掺杂一种杂质的半导体的电中性方程能够熟练计算室温下的载流子浓度和费米能级在掺杂浓度一定的情况下，能够解释费米能级、多子浓度随温度的变化关系杂质半导体的载流子浓度例题1 室温下,已知硅的p0=0.5×1010 cm-3，其Eg=1.12eV，Nc=Nv=1019cm-3，求:(1)电子浓度n0；(2) EF的位置；(3) 该半导体的类型。杂质半导体的载流子浓度例题2 若两块Si样品中的电子浓度分别为2.25×1010cm-3和6.8×1016cm-3，试分别求出其中的空穴的浓度和费米能级的相对位置，并判断样品的导电类型。(假定为室温)杂质半导体的载流子浓度例题3 证明n型半导体的EF大于本征半导体的Ei。杂质半导体的载流子浓度例题4 如果半导体只含有浓度为ND的施主，当温度升高到 求证，费米能量EF具有最大值