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一种半导体器件测试电路.pdfVIP

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  • 2023-03-13 发布于四川
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一种半导体器件测试电路.pdf

    本实用新型公开了一种半导体器件测试电路，它包括半导体器件和过流能引起熔断的熔断支路，该半导体器件具有栅极、漏极和源极，该熔断支路与该漏极串接，该熔断支路包括熔断丝，该熔断丝的一端与该漏极电性连接，且另一端与一电性接点连接，该熔断丝与该漏极、电性接点形成空气桥结构。它具有如下优点：熔断速度快、制作简单、成本低。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213546268 U (45)授权公告日 2021.06.25 (21)申请号 202022300118.X (22)申请日 2020.10.15 (73)专利权人 厦门市三安集成电路有限公司

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