激光退火对硅氧化层错的抑制作用.docxVIP

激光退火对硅氧化层错的抑制作用 硅氧化层错(SiO2fault)是由于在晶圆表面以及在硅氧化层外延特性中的缺陷、碳和氧的沉积物引起的一种缺陷，它的形态及类型多样，如凹陷、道歉、立方体等。它可能会对微电子封装及系统集成造成巨大的影响，因此，发展用于预防和抑制硅氧化层错形成/发展的有效技术是至关重要的。 近年来，激光退火已经被推荐为一种预防和抑制硅氧化层错的有效手段，它的原理是改善微结构的再结构，从而减少缺陷的产生。具体来说，它可以用来改善硅氧化层的本底结构、固化和凝固层剧烈的收缩、抑制夹层的注射、激活封装及腐蚀层的形成过程等。 实验结果表明，激光退火可以有效抑制硅氧化层错的形成和发展，并且能够增强硅氧化层的耐久性。例如，一项研究发现，在损伤表面上激光退火后，它可以显著降低硅氧化层错类型的数目和深度，有效地阻止了其后续的发展。另一项研究表明，对金属在硅氧化层进行激光处理，能够获得高自 stability且显著降低硅氧化层错的形成和发展。同样，一项研究发现，在电子封装表面激光退火后，硅氧化层错类型和深度的数目显著减少，封装及腐蚀层的形成过程也得到了改善。 综上所述，激光退火可以有效地抑制硅氧化层错的形成和发展，且能够改善封装及腐蚀层的形成过程。通过改善硅氧化层的本底结构、固化和凝固层剧烈的收缩以及抑制夹层的注射、改善金属在硅氧化层的保护性能，激光退火可以提高机械、腐蚀和电气性能，有助于延长设备的使用寿命。因此，激光退火对硅氧化层错的抑制是一项十分有效的技术，可以为用户提供可靠且充分保护的产品。