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低功耗缘栅型双极晶体管.pdfVIP

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  • 2023-03-14 发布于北京
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低功耗缘栅型双极晶体管.pdf

    本实用新型公开一种低功耗缘栅型双极晶体管，其位于P型掺杂阱层中且间隔设置的第一沟槽、第二沟槽延伸至轻掺杂N型漂移层内，位于第一沟槽、第二沟槽之间且在P型掺杂阱层上部沿水平方向间隔地设置有第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区，所述第二重掺杂N型源极区位于第二沟槽的周边，所述第一重掺杂N型源极区位于第一沟槽的周边；P型掺杂阱层中部和上部分别设置有N型掺杂阱层、P型掺杂基区层，所述第一重掺杂N型源极区、第二重掺杂N型源极区均位于P型掺杂基区层的上部。本实用新型低功耗缘栅型双极晶体管降低了晶体管可

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213583796 U (45)授权公告日 2021.06.29 (21)申请号 202022428438.3 (22)申请日 2020.10.27 (73)专利权人 开泰半导体（深圳）有限公司

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