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一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管.pdfVIP

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  • 2023-03-14 发布于四川
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一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管.pdf

    本实用新型涉及半导体功率器件技术领域，尤其涉及一种高可靠的VDMOS垂直栅场效应晶体管，包括封装本体和设置在封装本体内部的VDMOS功率器件芯片，封装本体包括基岛和管脚结构，VDMOS功率器件芯片设置在基岛内部，且VDMOS功率器件芯片和管脚结构通过线路连接；基岛包括安装座和设置在安装座上的密封板，安装框架用于安装VDMOS功率器件芯片，密封板与安装座滑动连接，且安装座配合密封板能够形成封闭的腔体结构。将安装VDMOS功率器件芯片的基岛设置为由安装座和密封板构成，实现了对基岛内芯片的封装，同时便

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213546304 U (45)授权公告日 2021.06.25 (21)申请号 202023162489.2 (22)申请日 2020.12.24 (73)专利权人 江苏长弘半导体有限公司

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