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PAGE PAGE 29 不同电极鞘层电位降的关系a） 驱动直流接地； b） 驱动极悬浮 A1 A 1 A 2 A 2 A 1 隔直电容 （a）直流接地 （a）直流接地 （b）直流悬浮 图 14 容性耦合射频鞘层、等离子体内的空间电位分布 V ? V ? A 1 V ? A 2 ? ? 2 ? ?? 1 ? V1 ? V p V1 ? V p ?Vb V2 ? Vp ， 有用的结论：通过改变电极面积比，可以得到所希望的驱动电极电位、地电极电位。 ［问题］射频自偏压是否可以为正？ V V ?A ?? V 1 ?? 2 ? 2 ? A ? 1 A1 A 1 A 2 隔直电容 隔直电容 图 16 A 1 A 时容性耦合射频鞘层、等离子体内的空间电位分布 2 射频电压的平均值决定值决定自偏压 由射频的电压的正幅值等离子体空间电位 性质： （1）容性耦合射频等离子体电位也随时间振荡 （2）与地电极的面积有关 降低空间电位的方法:(1)增加地电极面积;(2)磁场约束;(3)磁控放电EⅹB CCP 体应用 典型应用工艺有三种： 射频溅射沉积； 刻蚀； 等离子体增强化学气相沉积 匹配网络 匹配网络 靶 匹配网络 基片 基片 基片 匹配网络 (b)反应离子刻蚀 溅射沉积 (c)等离子体刻蚀 和 PECVD 图 18 射频等离子体典型应用工艺 工艺要求： 射频溅射沉积和反应离子刻蚀：