EMC电磁兼容测试报告2.docx

编号 NO. 检 验 记 录 2812 共 页 产 品 名 称 NAME OF SAMPLE 商 标 型 号 TRADE MARK TYPE 制 造 厂 商 MANUFACTURER 委 托 单 位 CLIENT 检 验 类 别 TEST SORT 检 验 项 目 TEST ITEM  智能读卡锁CHD1200M 深圳市纽贝尔电子有限公司深圳市纽贝尔电子有限公司委托 静电放电抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度 深 圳 电 子 产 品 质 量 检 测 中 心 SHENZHEN ELECTRONIC PRODUCT QUALITY TESTING CENTER 报告编号：2811068 第 页 共 页 深 圳 电 子 产 品 质 量 检 测 中 心检 验 记 录 样品名称 智能读卡锁  商 标 / 第 2 页 共 页 制造厂商 深圳市纽贝尔电子有限公司 型号规格 CHD1200M 委托单位 深圳市纽贝尔电子有限公司 取样方式 委托人送样 抽样单位 / 抽样母数 1 台 抽样地点 / 样品数量 1 台 生产日期 -- 抽样日期 / 送 检 2008 年 11 月 14 日 日期 检验日期 2008 年 11 月 14 日--2008 年 12 月 4 日 检验环境 15～35℃ 45～75%RH 样品说明: 检测样品 1 台，检测编号：1#，检测前后样品外观完好，功能正常。 测试时供电电压：DC 12V 检验项目: 静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度 检测依据: IEC 61000-4-5:2005、IEC 61000-4-2：2001、IEC 61000-4-4-2004、企业要求 检验概况: 依据标准和企业要求对 1 台样品分别进行了静电放电抗扰度、浪涌（冲击）抗扰度、电快速瞬变脉冲群抗扰度共 3 项的检测，测试结果均符合企业要求。详见后页。 检验结论: 共检 3 项，3 项均符合企业要求 检验负责人： 审核： 批准： 职务： 年 月 日 年 月 日 年 月 日 抗扰度试验判据说明： 检验日期：校核日期： 检验日期： 校核日期： 报告编号：2811068 第 页 共 页 序号 判定准则类别 说明 1 判据A 试验中EUT在规范极限值内性能正常 2 判据B 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复 3 判据C 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位) 4 判据D 试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失 检验项目：浪涌（冲击）抗扰度试验 依据标准：IEC 61000-4-5:2005 、企业要求 产品名称：智能读卡锁 商标型号：CHD1200M 样品编号：1# 试验条件：温度： 23 ℃， 湿度： 52 %RH， 正常大气压。 电磁条件保证受试设备正常工作，并不影响试验结果。 EUT 状态：试验前工作正常，试验中受试设备刷卡及 RS485 命令开锁正常，使受试设备处于正常工作状态。 试验等级：在受试设备的 DC 电源和信号线端口： 正-负：电压峰值 2kV，开路电压波形 1.2/50μs（短路电流波形 8/20μs），2Ω内阻 正（或负）-地：电压峰值 2kV，开路电压波形 1.2/50μs（短路电流波形 8/20μs），12Ω内阻信号线对线：电压峰值 2kV，开路电压波形 1.2/50μs（短路电流波形 8/20μs），15Ω内阻信号线对地：电压峰值 2kV，开路电压波形 1.2/50μs（短路电流波形 8/20μs），15Ω内阻要求符合性能判据 B。 试验布置：严格按标准要求。 试验过程：：浪涌（冲击）电压施加在 EUT 的 DC 电源和信号线端口，60 秒钟一次，正、负极性各做 5 次。 试验电压由低等级增加到规定的试验等级，较低等级均应满足要求。 EUT 表现：在整个试验过程中没有出现危险或不安全的后果，试验中及试验后，EUT 工作正常，表现出抗扰能力。符合性能判据 A 。 描述如下：受试设备在试验前正常工作，试验中及试验后EUT 工作正常。符合性能判据要求。 检 验 人： 校 核 人： 报告编号： 第 页 共 页 抗扰度试验判据说明： 序号 判定准则类别 说明 1 判据A 试验中EUT在规范极限值内性能正常 2 判据B 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但能自行恢复 3 判据C 试验中EUT功能或性能暂时降低或丧失，但需操作者干预或系统重调(或复位) 4 判据D 试验中EUT因装置(或元件)损坏而不可恢复的功能降低或丧失 检验项目：静电放电抗扰度试验 依据标准：IEC 61000-4-2：2001 、企业要求 产品名称：智能读卡锁 商标型号：CHD1200M 样品编号：1# 试验条件：温度 24