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硅片电感耦合等离子刻蚀加工 硅片电感耦合等离子刻蚀加工技术是一种用于为细小特殊高精度形状制造硅片器件的革新性技术，它可以提供大量的制造节点和小尺寸加工节点，有效地弥补了传统加工技术的不足。 硅片电感耦合等离子刻蚀加工技术基于电感耦合等离子体（ICP）加工原理，可靠地制备精密形状的硅片器件。它采用一种特殊的电磁场在硅片的表面形成等离子体，然后以高能量的飞行等离子体束从表面微动切削物料。其特点在于可以有效地分辨微小的加工节点，以及快速定位和实现密密麻麻的复杂加工模式，可以满足特定的尺寸及图形加工要求。 硅片电感耦合等离子刻蚀加工技术具有多种显著优势，如极低的温度影响，可能产生多种分辨率的刻蚀节点，高精度要求，刻蚀尺寸范围小（可超过20μm），刻蚀效率高，防止材料烧蚀，非对称梯度刻蚀效果好，刻蚀效果可调节和优化，机械结构形状统一，操作成本低。 由于硅片电感耦合等离子刻蚀加工技术的先进性，在电子制造中的应用日趋广泛。它可以实现精细的3D加工加工任务，如晶圆上刻蚀引线和芯片底座，以便电路板制造、信号连接器制造、组件制造等应用。此外，它也可以制造高能量密度电源存储装置、水滴分析仪器零部件、医药分析仪器芯片、光学技术小型零件等。