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半导体器件测量实验 现代二极管C-V特性测量与分析 一．实验目的与要求 1. 通过7nm微纳电子器件教学套件对二极管进行C-V 特性曲线测量, 进一步加深理解二极管C-V 特性。 2. 通过7nm 微纳电子器件教学套件进一步了解二极管电容。 3. 通过改变测量条件，了解影响二极管C-V 特性曲线的因素。 二．实验器材 1. 硬件 1.1. 7nm 微纳电子器件教学套件 1.2. 连接线：BNC 连接线6 条 1.3. 转接头：BNC 转接头 （三母）2 个 1.4. 电源线1 条 2. 软件：TestLab 测量软件 三．实验内容 1. 通过7nm 微纳电子器件教学套件测量二极管的C-V 特性曲线。 2. 通过调节测量温度，得到在不同温度下二极管的C-V 特性曲线，并分析温度对于二极管电容的影响。 四．实验原理 二极管的电容效应包括扩散电容和势垒电容，直接影响其高频特性和开关特性。本实验考察当二极 管处于反向偏置 （势垒电容占据主导地位）时，其电容随电压的变化趋势。 当二极管反向偏置时，若外加电压增加，结电场也会随之增强，多数载流子被拉出而远离PN 结， 势垒区将增宽；反之，若外加电压减小，势垒区变窄。势垒区的变化意味着区内存储的正，负离子电荷 数的增减，类似于平行板电容器两极板上电荷的变化。 五．实验步骤 1. 实验准备 1.1. 启动电脑，通过USB 接口连接7nm 微纳电子器件教学套件。连接成功后，可以直接在“我的电脑” 中读取到名为“EDU KIT”的磁盘信息，双击Education_Kit.vbs，启动教学套件。 1.2. 按动教学套件上的第一个标有“Test”的绿色按钮。按下后，“Test”按钮被点亮并等待进入测量软件界 面。 1.3. 进入“Test”模式后，可以看到三个功能按钮 。依次的功能是：Configuration （设置测量任 务），Measure （进行测量），Analysis （特性分析）。 1.4. 根据实验内容，在教学套件中选择相应的实验器件。本次实验选取“Diode”,点亮该按钮后可以在软 件界面上看到选中器件的名称。 半导体器件测量实验 2. 二极管C-V 特性曲线测量 2.1. 选中器件后，单击 按钮，会弹出如图1 所示的对话框，需要编写测试脚本设置扫描参数和连接 关系。完成后按下“回车”按钮，单击“OK”退出该界面。 编写测试脚本 设置扫面参数 设置连接关系 图1 测量二极管C-V 特性曲线参数设置窗口 各项扫描参数的含义： 扫描参数名 扫描参数含义 扫描参数数值 vpn_start vpn扫描起始电压 带有绿色箭头标识的扫描参数 vpn_end vpn扫描终止电压 需您手动填写数值 vpn_step vpn扫描步距 2.2. 关闭“configuration”界面后，会在如图2 中显示设置的最终参数以及相关信息，确认无误后，完成 器件与测量设备的连接，之后单击 进行测量。 半导体器件测量实验 显示已设置参数 图2 二极管C-V 特性曲线参数显示窗口 2.3. 完成二极管在25℃下的C-V 特性曲线的测试，并在下列坐标图中描出二极管电容随电压变化的点， 并连线，观