180nmNMOS转移特性专项.pdfVIP

半导体器件测量实验 NMOS 晶体管转移特性曲线测量与分析 一．实验目的与要求 1.通过7nm 微纳电子器件教学套件进行实验，进一步理解180nm NMOS 晶体管转移特性曲 线(Ids-Vgs)。 2.通过调节测量温度，分析温度对于NMOS 晶体管转移特性曲线 （Ids-Vgs）的影响。 3.通过调节工艺参数，分析工艺参数对于NMOS 晶体管转移特性曲线 （Ids-Vgs）的影响。 二．实验器材 1. 硬件 1.1 7nm 微纳电子器件教学套件 1.2 BNC 连接线4 条 2. 软件：TestLab 测量软件 三．实验内容 1.通过使用7nm 微纳电子器件教学套件得到180nmNMOS 晶体管转移特性曲线 （Ids-Vgs）。 2.采用控制变量法改变学生实验箱的测试温度，得到在不同温度下NMOS 晶体管的转移特性 曲线，并记录下NMOS 管的Vth 以及Idlin。 3. 采用控制变量法改变工艺参数，得到新的NMOS 晶体管转移特性曲线 （Ids-Vgs），并记录 下NMOS 管的Vth 以及Idlin。 四．实验原理 MOS 晶体管的转移特性是指在源漏电压Vds 一定的条件下，栅压Vgs 对漏电流Ids 的控制特性即 252u-12-，如图 1 所示。当MOS 晶体管处于饱和区时， u u u 由于Ids 受Vds 的影响很小，因此在饱和区内不同的Vds 下的转移特性曲线基本重合。 图 1. NMOS 晶体管转移特性曲线 半导体器件测量实验 五．实验步骤 1. 实验准备 启动电脑通过 接口连接 。连接成功后可以直接在 我的电脑 中读取到名为 1.1 USB SEK “ ” “EDU KIT”的磁盘信息，双击 ，启动实验箱。 1.2 按动实验箱上的第一个标有“Test”绿色按钮。按下后，“Test”按钮灯被点亮等待进入测量 软件界面。 1.3 进入“Test”模式后，可以看到三个功能按钮 。依次的功能是：configuration （设置测量任务），measure （进行测量），analysis （特性分析）。 1.4 根据实验内容，在实验箱中选择相应的实验器件。本次实验选取“180nm”,点亮该按钮后， 可以在SEK 软件界面上看到选中器件的名称。 2. NMOS 管转移特性曲线测量 选中器件后，单击 ，会弹出如图 所示的对话框。选择 需 2.1 按钮 2 “Id_Vgs@vds=0.05”， 要编写测试脚本、设置扫描参数和设置连接关系，单击 后， 脚本内容生效。完成后 Ok Page 按下“回车”按钮，单击“Ok”退出该界面。 编写测试脚本 设置扫描参数 设置连接关系 图2.测量NMOS 管转移特性曲线参数设置窗口 各项扫描参数的含义为： 扫描参数名 扫描参数含义 扫描参数数值 vgs_start vgs扫描起始电压 vgs_end vgs扫描终止电压