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半导体器件测量实验 180nmNMOS 晶体管输出特性曲线测量与分析 一．实验目的与要求 1.通过7nm 微纳电子器件教学套件进行实验，进一步理解180nmNMOS 晶体管输出特性曲 线 （Ids-Vds）。 2.通过调节测试温度，分析温度对于NMOS 晶体管输出特性曲线 （Ids-Vds）的影响。 3.通过调节工艺参数，分析工艺参数对于NMOS 晶体管输出特性曲线 （Ids-Vds）的影响。 二．实验器材 1. 硬件 1.1 7nm 微纳电子器件教学套件 1.2 BNC 连接线4 条 2. 软件：TestLab 测量软件 三．实验内容 1.通过7nm 微纳电子器件教学套件得到180nmNMOS 晶体管输出特性曲线 （Ids-Vds），并在 测量结果中读出Idsat。 2.采用控制变量法改变测量温度，对得到新的NMOS 晶体管输出特性曲线 （Ids-Vds）进行截 止区，线性区以及饱和区的划分。 四．实验原理 MOS 晶体管的输出特性是指在栅源电压Vgs 一定的条件下，漏电流Ids 与源漏电压 Vds 之间的关系 即u 怰 u u 議慵矀u矀慵矀矀。 图 1 所示为一N 沟道增强型MOS 管完整的输出特性，因为 ( 是该 u u 矀矀 矀矀 NMOS 晶体管的开启电压)是预夹断的临界条件，据此可在输出特性曲线上画出预夹断轨迹， 该轨迹也是可变电阻区和饱和区的分界线。 半导体器件测量实验 图 1. N 沟道增强型MOS 晶体管输出特性曲线 五．实验步骤 1. 实验准备 1.1 启动电脑通过USB 接口连接EK2 试验箱。连接成功后可以直接在 我的电脑 中读取到名 “ ” 为“EDU KIT”的磁盘信息，双击 ，启动实验箱。 1.2 按动实验箱上的第一个标有“Test”绿色按钮。按下后，“Test”按钮灯被点亮等待进入测量 软件界面。 1.3 进入“Test”模式后，可以看到三个功能按钮 。依次的功能是：configuration （ 设置测量 （ 任务），measure 进行测量），analysis （特性分析）。 1.4 根据实验内容，在实验箱中选择相应的实验器件。本次实验选取“180nm NMOS”,点亮该 按钮后，可以在软件界面上看到选中器件的名称。 2. NMOS 管输出特性曲线测量 选中器件后，单击 ，会弹出如图 所示的对话框。选择 2.1 2 “id_vds@vbs=0.0”，需要编 完成后单击 退出 Ok “Ok” 写测试脚本、设置扫描参数和连接关系，单击 后，脚本内容生效。 该界面。 半导体器件测量实验 编写测试脚本 设置扫描参数 设置连接关系 图 2. 测量NMOS 管输出特性曲线参数设置窗口 各项扫描参数的含义为： 扫