PCB散热设计分析和总结.docx

PCB 散热设计 PCB 中热量的来源主要有三个方面：(1)电子元器件的发热；(2) PCB 本身的发热；(3) 其它部分传来的热。在这三个热源中，元器件的发热量最大，是主要热源，其次是 PCB 板产生的热，外部传入的热量取决于系统的总体热设计。大功率LED 的基板材料必须有高的绝缘电阻、高稳定性、高热导率、与芯片相近的热膨胀系数以及平整性和一定的机械强度。基 于上述条件，少数金属或合金能满足高热导率、低膨胀系数的要求，但为了保障电绝缘性， 需要在金属上涂覆一层高分子聚合物膜或者沉积一层陶瓷膜， 如传统的PCB 金属基板由金属基片、绝缘介质层和铜泊构成。绝缘介质层一般采用环氧玻纤布粘结片或环氧树脂， 由于绝缘介质层的热导率普遍偏低(树脂类通常低于 0.5W/m.K ) ，这导致整个器件的散热性能大大降低。 PCB 种类 LED 常见基板通常有四类：传统且非常成熟的PCB、发展中的金属基板(MCPCB)、以陶瓷材料为主的陶瓷基板(Ceramic)、覆铜陶瓷基板(DBC)。其中覆铜陶瓷基板是将铜箔直接烧 结到陶瓷表面而形成的一种复合基板。PCB 及 MCPCB 可使用于一般LED 应用之产品。不过当单位热流密度较高时，LED 散热基板主要采用金属基板及陶瓷基板两类强化散热。金属基板以铝(Al)及铜(Cu)为材料，可分为金属基材(metal base)、金属蕊(metal core)。金属基板制程尚需多一道绝缘层处理，目前全球主要散热绝缘胶厂商以美商及日商为主。 另一类是采用AlN、SiC、BeO 等绝缘材料为主的陶瓷基板，由于本身材料就已经绝缘， 因此不需要有绝缘层的处理。此外，陶瓷基板所能承受的崩溃电压，击穿电压(Break-down voltage)也较高，此外，其热膨胀系数匹配性佳，可减少热应力及热变形产生也是优点，可 以说相当适合LED 应用，目前确实已经有相当多 LED 产品采用，但目前价格仍贵，约为金属基板的 2～3 倍。 过去由于LED 输出功率较小，因此使用传统FR4 等玻璃环氧树脂封装基板，并不会造成太大的散热问题，但应用于照明用的高功率LED，虽芯片面积相当小，整体消费电力也不高，不过单位面积的发热量却很大。一般来说，树脂基板的散热，只能够支持0.5W 以下的LED，超过 0.5W 以上的LED，多改用陶瓷基板或者高散热金属基板进行封装。Uninwell 的低温共烧陶瓷金属基板技术首先制备出适于共晶焊的大功率LED 芯片和相应的陶瓷基板FSC 系列，然后将 LED 芯片与基板直接焊接在一起。由于该基板上集成了共晶焊层、静电保护电 路、驱动电路及控制补偿电路，不仅结构简单，而且由于材料热导率高，热界面少，大大提高了散热性能，为大功率 LED 阵列封装提出了解决方案。另外一种工艺为高导热性覆铜陶瓷板 FSCC 系列，由陶瓷基板（AlN 或 Al2O3）和导电层（Cu）在高温高压下烧结而成，没有使用黏结剂，因此导热性能好、强度高、绝缘性强。氮化铝（AlN）的热导率为 160W/mk，热膨胀系数为 4.0×10－6/℃（与硅的热膨胀系数3.2×10－6/℃相当），从而降低了封装热应力。 目前国内外封装基板技术主要有以下几种: 美国 UOE 公司制作的Norlux 系列功率LED 封装基板。其结构是在不锈钢板表面烧结一层搪瓷（Porcelain)。此封装基板的优点是易加工、机械强度高、易安装。其缺点是基材价格较高、介质膜层厚度较厚(大于 100um) 、热导率仍然较低。 美国 TT 公司的Anotherm 导热基板是在铝合金基片上硬质阳极氧化介质膜绝缘层，电极层用厚膜工艺丝印在绝缘层上。在一块 Anotherm 板上可以开发多达 3 层电路层。其优点是常温工艺、原位生长介质膜层、易于后期加工、机械强度高，热导率比Norlux 系列有明显提高。 Lamina 公司采用金属上低温共烧陶瓷(LTCC-M) 技术，将低温烧结陶瓷粉制成厚度精确而且致密的单层生瓷带，在生瓷带上利用打孔、微孔注浆、精密导体浆料印刷等工艺制出所 需要的电路图形，然后将多层生瓷带叠轧在金属上，在大约900℃烧结，制成多层互连的三 维电路基板。其优点是多层布线、金属散热、集成度较高、热导率好、机械强度高。其缺点是成本高、耗能大、工艺复杂且难于控制。 中国电子科技集团公司第十三研究所制作体块烧结氮化铝单层基板。氮化铝基板具有 高导热、高电绝缘、低介电、低热膨胀的特点，其热导率大约是氧化铝陶瓷基板的十倍，热膨胀系数与硅芯片接近。其缺点是体积大、成本高、机械强度差、耗能高。 国内公司制作的铝基覆铜 PCB 基板，此基板由铝板、环氧树脂或环氧玻璃布粘结片、铜馅三者经热压而成。优点是结构简单、易于后期加工、机械强度高、耗能较低。但是设备工艺复杂、散热性能一般