PSR原边反馈开关电源EMC设计技巧.docx

PSR 原边反馈开关电源 EMC 设计技巧 PCB LAYOUT 注意点： 大家都知道，EMC 对地线走线毕竟有讲究，针对 PSR 的初级地线，可以分为 4 个地线，如图中所标示的三角地符号。 这 4 个地线需采用“一点接地”的布局。 C8 的地线为电源输入第。 R5 的地为功率地。 C2 的地为小信号地。 变压器 PIN3 的地为屏蔽地。 这 4 个地的交接点为 C8 的负端，即： 输入电压经整流桥后过 C1 到 C8 地， R5 和变压器 PIN3 的地分别采用单独连线直接引致 C8 负端相连，连线尽量短；R5 地线因考虑到压降和干扰应尽量宽些. C5,R10,U1 PIN7 和 PIN8 地线汇集致 C2 负端再连接于 C8 负端。 若为双面板，以上 4 条地线尽量不要采用过孔连接，不得以可以采用多个过孔阵列以减小过孔压降。 以上地线布局恰当，产品的共模干扰会很小。 因 PSR 线路负载时工作在 PFM 状态下的 DCM 模式，DI/DT 的增大和频率的提升， 所以较难处理的是传导 150K~5M 差模干扰. 就依图从左到右针对有影响 EMC 的元件进行逐个分析。 1. 保险丝 将保险丝换用保险电阻理论上来讲对产品效率是有负面影响的，但实际表现并不明显， 所以保险丝可以采用 10/1W 的保险电阻来降低 150K 附近的差模干扰，对通过 5 级能耗并无太大影响，且成本也有所降低。 2. C1,L2,C8 PSR 工作在 DCM 模式，相对而言其输入峰值电流会大很多，所以输入滤波很重要。 峰值电流的增大会导致低压输入时母线电压较低，且 C8 的温升也会增加；为了提高母线电压和降低 C8 的温升，需提高 C1 的容量和使用 LOW ESR 的 C1 和 C8。 因为提高 C1 的容量后，C1 和 C8 的工作电压会上升，在输出功率不变的情况下，输入的峰值电流就会降低。 因 L2 的作用，实际表现为增加 C1 的容量比增加 C8 的容量抑制 EMC 会更有效。一般取 C1 为 6.8uF，C8 为 4.7uF 效果较好，若受空间限制，采用8.2u 与 3.3u 也 比采用 2 个 2.7u 的 EMC 抑制效果好。 L2 一般从成本考虑采用色环电感，因色环电感的功率有限，电感量太大会严重影响效率，一般取 330u~2mH,2mH 是效率影响开始变得明显，330u 对差模干扰的作用不够分量，为了使效率影响最低且对差模干扰抑制较佳，建议采用 1mH。 因为“一点接地”的布局汇集点在 C8 的负端，在 C8 负端输入电流的方向是经过 C1 和 BD1 流回输入端，根据传导测试的原理，这样产生消极影响，所以需在 C1 与 C8 的地线上作处理，有空间的可以再中间增加磁珠跳线，空间受限可以采用 PCB layout 曲线来实现， 虽然效果会弱些，但相比直线连接会改善不少。 3. R6,D2,R2,C4 RCD 吸收对 EMC 的影响大家都应该已经了解，这里主要说下 R6 与 D2 对 EMC 的影 响。 R6 的加入和 D2 采用恢复时间较慢的 1N4007 对空间辐射有一定的负作用，但对传 导有益。 所以在整改 EMC 时此处的修改对空间辐射与传导的取舍还得引起注意。 4. R5 R5 既为电流检测点也是限功率设置点。 所以 R5 的取值会影响峰值电流也会影响 OPP 保护点。建议在 OPP 满足的情况下尽量取大些。 一般不低于 2R，建议取 2.2R。5. R4,R10,D3,R3,C2 在前部分有提到 VCC 电压的升高对 EMC 有恶性影响。 因 IC 内部的检测有采用积分电路，所以当 VCC 电压设置过高，就需要更长的积分时间，在周期不变的情况下，TON 的时间就会增加，输出功率不变的情况下 MOS 的峰值电流就会增加，在 RCD 和 D4 的吸收 R7,C11 上的峰值都会增加，且 D3,R3,C2 也对 VCC 有下拉和吸收作用，会使输出电压的过冲加剧，同时影响延时检测的开启时间。 这一系列的变化对 EMC 的影响是不可忽视的。 根据经验，结合变压器漏感考虑，VCC 电压在满载事最大值不宜超过 19V，所以为使空载时 VCC 不至于太低导致荡机，建议 VCC 电压设计在 15V，变压器漏感最大不宜超过15%. 6. C5 C5 是 IC 内部延时检测补偿设置端。 C5 的取值大了会导致电压检测的周期加长，小了会导致电压检测的周期变短。 检测周期的变化会影响电压的采样率，也就会影响整个产品各处的电流纹波，对 EMC 也会造成一定影响，一般选取 0.01~0.1uF 7. C3,C7 前面有提到 C3 和 C7 的容量取值对输出电压过冲的抑制作用和维持产品的稳定性。 但 但 C3,C7 的容量也不是越大越好，他会对 EMC