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一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构.pdfVIP

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  • 2023-03-23 发布于北京
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一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构.pdf

    本实用新型提供一种改善直拉半导体拉晶后氧化的结构，包括：氧化阀、炉体和真空泵，其特征在于：所述炉体、所述氧化阀和所述真空泵依次连接。本实用新型的有益效果是通过优化氧化工艺，氧化过程允许空气直接进入管道，避免大量的氧与高温状态的热场件接触，增加热场件的使用寿命。同时结构简单，维修方便，加工成本低、效果明显，大大降低了热场的腐蚀程度。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 213866491 U (45)授权公告日 2021.08.03 (21)申请号 202022412802.7 (22)申请日 2020.10.27 (73)专利权人 内蒙古中环领先半导体材料有限

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