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第3章减反射原理和减反射技术 3.1 硅材料的光学特性 在光学中： 当光波从一种介质传到另一种介质时，在两种介质的分界面上将发生反射、折射现 象。反射光按反射定律反回原介质，折射光按折射定律进入另一介质。 折射定律：光在入射介质中的传播速度与折射介质中的传播速度之比，等于入射角正 弦与折射角正弦之比。v1/v2=sini/sinr=n 当两种介质一定时，n为一常数，称为折射介质相对入射介质的相对折射率。如果入射 介质为真空或空气，n值则为折射介质的绝对折射率。 由折射定律可知：介质的折射率值与光波在该介质中的传播速度成反比。界面两边折 射率较大的介质称为光密介质，折射率较小的介质称为光蔬介质。 光由光密质向光疏质 传播，当折射角等于90度时，入射角就是光疏质的“临界角”。如果人射角稍大于临界 角，入射光就全部反射回原来的密介质中。这种现象称之为全反射 晶体硅材料的光学特性，是决定晶体硅太阳电池极限效率的关键因素，也是太阳电池 制造工艺设计的依据。 3.1.1 光在硅片上的反射、折射和透射 照射到硅片表面的光遵守光的反射、折射定律。如图 3.1 所示，表面平整的硅片放 置在空气中，有一束强度为 的光照射前表面时，将在入射点 O 发生反射和折射。以I I 0 0 I  r 表示反射光强度， 表示折射光强度。这时入射角 等于反射角 ，并且 1 c sin v v n    sin v c n v （3-1） 1 图3-2 光在半导体薄片上的反射、折射和透射 图3-3 计算表 面反射的二维模型 Fig 3-2 Light reflection, infraction and Fig 3-3 2D model for surface reflection transition on semiconductor sheet. calculate.  v v n n 式中 为入射光进入硅中的折射角， 、 分别为空气及硅中的光速， 、 分别为空气 及硅的折射率， 为真空中的光速。任何媒质的折射率都等于真空中的光速与该媒质中的c 光速之比。   I 在硅片内的另一个表面以角度 发生入射及反射，反射光强度以 表示，强度为I 1 1    I 的光在 点沿与法线o NN 成 角度的方向透射出后表面。 2 定义反射光强度 与入射光强度 之比为反射率，以 表示；透射光强度 与入射 I I I R 0 0 2 光强度 之比为透射率，以 表示。当介质材料对光