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1压电力显微吴迪南京大学材料科学与工程系第1页，共31页。 压电效应电－力耦合 (electromechanical coupling)2电－力耦合是极性键合的结果，只要晶体的对称性允许。界面、表面和低维材料中由于对称破缺可能产生不同寻常的电－力耦合。第2页，共31页。 压电效应电－力耦合 (electromechanical coupling)3晶体材料中，d33从～2 pm/V(石英)到～500 pm/V(PZT)。正压电效应：Charge＝Force?d33逆压电效应：Strain＝Bias?d33第3页，共31页。 压电效应铁电材料中的电－力耦合4单畴铁电材料中应变对小的ac信号，取出应变的一次谐波有效压电系数d33-eff第4页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)PFM测量电压施加到样品表面时的力学响应5～pm量级的微小形变～fA量级的微弱电流～1-10nm的微小尺度导电的针尖nanoelectromechanicsBaTiO3: d33=80 pm/V；相当于10 V产生0.8 nm的形变，很难测量第5页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)vertical PFM：normal displacement6在导电针尖上施加交流电压由于纵向压电效应，样品发生纵向形变，导致悬臂梁形变如果频率远低于共振频率振动的振幅正比于d33的大小相位对应样品中的极化方向，反向电畴相位相差?d33-d33bias offbias on第6页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)vertical PFM7正畴：位移和电压同位相，?＝0负畴：位移和电压相位相相反， ?＝ ?第7页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)偏压与测量8conventional: switch-and-image testingstroboscopic: time-dependent testingspectroscopic: step-bias testingspectroscopic: pulse-biased testing 第8页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)偏压与测量9conventional: switch-and-image testing-5.0 Vdomain patterning5.0 V-5.0 VPFM phase image第9页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)偏压与测量10stroboscopic: time-dependent testing第10页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)偏压与测量11spectroscopic: step or pulse?step模式下静电项使回线变形，Vk使回线平移第11页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)lateral PFM: shear displacement12畴控制测量第12页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)3D PFM13第13页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)晶体取向14四方结构压电晶体，如BaTiO3，电场与c轴平行，形变最大，与c轴垂直，形变为0。第14页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)晶体取向15四方结构 (4mm)vertical PFMlateral PFM (x)lateral PFM (y)旋转900vertical PFMlateral PFM (x)lateral PFM (y)第15页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)晶体取向16因此，从压电响应可以测量晶体学取向！第16页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)测量方式17在顶电极上测量，激发是global的，测量是local的 测量对针尖不敏感 分辨率受膜厚和电极厚度限制 成核位置是本征的，不受控制第17页，共31页。 压电力显微 (piezoelectric force microscopy)测量方式18在薄膜上直接测量，激发是local的，测量也是local的 测量对针尖非常敏感 分辨率受针尖