电子技术基础第七章场效应管.pptVIP

P N N G S D UDS UGS UGS0时 UGS足够大时（UGSVT）感应出足够多电子，这里以电子导电为主出现N型的导电沟道。 感应出电子 VT称为阈值电压 第三十一页，共五十三页，2022年，8月28日 P N N G S D UDS UGS UGS较小时，导电沟道相当于电阻将D-S连接起来，UGS越大此电阻越小。 第三十二页，共五十三页，2022年，8月28日 P N N G S D UDS UGS 当UDS不太大时，导电沟道在两个N区间是均匀的。 当UDS较大时，靠近D区的导电沟道变窄。 第三十三页，共五十三页，2022年，8月28日 P N N G S D UDS UGS UDS增加，UGD=VT时，靠近D端的沟道被夹断，称为予夹断。 夹断后ID呈恒流特性。 ID 第三十四页，共五十三页，2022年，8月28日 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 MOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 可变电阻区：UGS不变，ID与UDS成正比，漏源之间相当于一个可变电阻。 第三十五页，共五十三页，2022年，8月28日 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 第三十六页，共五十三页，2022年，8月28日 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 击穿区：UDS过大，ID急剧增加。 第三十七页，共五十三页，2022年，8月28日 4 3 2 1 0 5 10 15 UGS =5V 6V 4V 3V 2V ID /mA UDS =10V 增强型 NMOS 管的特性曲线 0 1 2 3 饱和区 击穿区 可变电阻区 2 4 6 UGS / V 3. 特性曲线 UGs(th) 输出特性 转移特性 UDS / V ID /mA 转移特性： ID=f（ UGS ）| u=常数 第三十八页，共五十三页，2022年，8月28日 电子技术基础第七章场效应管 第一页，共五十三页，2022年，8月28日 1 概述 2 场效应管的工作原理 3 场效应管的检测 场效应管 第二页，共五十三页，2022年，8月28日 7.1 概述 场效应晶体管（Field Effect Transistor缩写(FET)）简称场效应管。 FET仅是由多数载流子参与导电,它与双极型相反,也称为单极型晶体管。 它属于电压控制型半导体器件，具有输入电阻高、噪声小、功耗低、动态范围大、易于集成、没有二次击穿现象、安全工作区域宽等优点，现已成为双极型晶体管和功率晶体管的强大竞争者。 第三页，共五十三页，2022年，8月28日 CEP35P03 ?CEB05N65 第四页，共五十三页，2022年，8月28日 2N2102 IRF150 第五页，共五十三页，2022年，8月28日 ?CEM8311 CED6426 第六页，共五十三页，2022年，8月28日 场效应管与晶体管的优缺点 晶体三极管(BJT)的弱点： 1、 晶体管为电流控制器件，需要信号源提供一定的电流，因此输入电阻低。2、因为有少子参与导电，受温度、辐射等因素影响大，噪声大。 场效应管（FET）的优点1、场效应管为电压控制器件，基本不需要输入电流、 因此输入电阻高 (结构上能保证) 。2、场效应管只有多子参与导电、稳定性好，噪声低；3、场效应管比晶体管种类多，漏极、源极可以互换， 灵活性高；4、集成电路工艺简单。 第七页，共五十三页，2022年，8月28日 场效应管的分类 N沟道 P沟道 增强型 耗尽型 N沟道 P沟道 N沟道 P沟道 （耗尽型） FET 场效应管 JFET 结型 MOSFET 绝缘栅型 (IGFET) 第八页，共五十三页，2022年，8月28日 场效应管的结构 N 基底 ：N型半导体 P P 两边是P区 G(栅极) S源极 D漏极 导电沟道 结构 第九页，共五十三页，2022年，8月28日 N P P G(栅极) S源