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- 2023-03-28 发布于北京
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本实用新型提供了一种半导体结构。半导体结构的对准标记包括不同方向设置的第一对准模组和第二对准模组,以利于在光刻工艺中实现不同方位的位置对准,并且第一对准模组和第二对准模组还更为精细的划分为多个第一方向标记图案和多个第二方向标记图案,从而能够对对准标记进行更为精细的读取识别,提高光刻工艺的对准精度。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213958951 U
(45)授权公告日 2021.08.13
(21)申请号 202120268634.0
(22)申请日 2021.01.29
(73)专利权人 福建省晋华集成电路有限公司
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