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- 2023-03-28 发布于北京
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本实用新型提供一种屏蔽栅功率器件的版图结构,包括元胞区,所述元胞区包括交错设置的第一沟槽和第二沟槽,所述第一沟槽和第二沟槽从横向和纵向两个方向起到屏蔽作用,使导通电阻下降,增强了屏蔽效果,提高了器件的高压耐压能力。进一步的,本实用新型采用交错设置的第一沟槽和第二沟槽的设计,在屏蔽栅功率器件的版图结构中形成封闭式的终端区布局,节省了终端面积,进一步提高BV耐压和降低导通电阻。另外,本实用新型中栅电极电位从元胞区的两侧的栅极区引出,这样布局可以使有源区得到充分的利用,提高有源区的利用率。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 213958962 U
(45)授权公告日 2021.08.13
(21)申请号 202120257022.1
(22)申请日 2021.01.29
(73)专利权人 中芯集成电路制造(绍兴)有限公
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