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第一章 半导体的物质结构和能带结构;固态晶体具有多种结晶形态，分属7大晶系14种类型。结晶半导体大多数属于立方(cubic)晶系和六方(Hexagon)晶系，且都是四面体(tetradron)结构。只有少数半导体具有其他结构。;一、元素的电负性与原子的结合性质;2、元素的电负性及其变化规律;3、电负性决定原子的结合性质;二、共价结合与正四面体结构;正四面体元胞 具有正四面体结构的晶格 ;三、金刚石（Diamond）结构;四、闪锌矿和纤锌矿结构;1、闪锌矿(Zincblende) 锌的主要矿石形态(硫化物), 属立方对称晶型。 ABCABC…方式堆垛 ;2、纤锌矿结构(wurtzite);3、同质异晶型（polytype）;;由化学元素周期表中的III族元素硼、铝、镓、铟和Ⅴ族元素氮、磷、砷、锑交相化合而成的16种III-Ⅴ族化合物半导体和IV族化合物碳化硅都具有闪锌矿型晶体结构，但4种氮化物和碳化硅也可具有纤锌矿型结构。;金刚石结构;闪锌矿结构;纤锌矿结构;;由化学元素周期表中的III族元素硼、铝、镓、铟和Ⅴ族元素氮、磷、砷、锑交相化合而成的16种III-Ⅴ族化合物半导体和IV族化合物碳化硅都具有闪锌矿型晶体结构，但4种氮化物和碳化硅也可具有纤锌矿型结构。;五、半导体的其他结晶类型 ;§1.2半导体中的电子状态和能带; 2、轨道杂化;二、零势场和周期势场中的电子状态;;;;;;1、电场下的满带电子;3、电场下未满带中的电子;;满带电子不导电、未满带电子导电;(N-1)个电子对电流的贡献只相当于一个运动速率为?n的正电荷的贡献，而这个正电荷本质上正是那个空状态，因而将满带中的空状态视为一个荷正电的载流子，称作空穴（hole）。;导体、半导体、绝缘体的能带;§1.3 半导体中载流子的有效质量;二、半导体中电子和空穴的有效质量;2、空穴的有效质量 ;3、有效质量的物理含义;1、导带底不在布里渊区中心的一般情况 (k 0≠0 );令E(k0)=EC，表示导带底的能量，泰勒展开式改写成;由于晶体的对称性，k0 在k 空间可能有若干个对称的等价点 ;2、导带底k＝0且有效质量各向同性的特殊情况;3、价带顶的位置及空穴的有效质量;关于有效质量应注意的几个问题：;二、三维k空间中的E－k关系和能带极值的位置 ;??美晶体;实际应用中，半导体内载流子(carriers, 电子和空穴)的数量(密度 density)、活动力(迁移率 mobility)以及在非热平衡条件下产生的额外载流子(excess carriers)寿命 (lifetime) 主要受杂质或缺陷的控制。;一、真实晶体及其禁带中的允许能级;;2、共价环境与杂质类型;3）受主（accepter）杂质;3、杂质能级;2）施主能级和受主能级;;杂质高度补偿;【例题】 利用类氢模型计算InSb的施主杂质电离能和施主的弱束缚电子基态轨道半径。 ;二、深能级杂质 ;2) 金刚石结构中的II、VI族杂质;2、两性杂质及其能级 ;异位异性双性杂质 SiGa与 SiAs自身的相互补偿 ;3、等电子杂质及其能级;磷化镓中氮的能级在导带底以下0.008eV，但它是电子陷阱而非施主，所以是一个深能级。;2）等电子络合物的陷阱效应;一、两种主要类型的杂质：;二、浅能级和深能级 ;3、等电子杂质及其能级;2）等电子络合物的陷阱效应;4、深能级的补偿作用 ;三、缺陷的施、受主作用及其能级 ;元素半导体中的点缺陷一般起受主作用，且一般以双空位或空位 - 杂质络合物的形式稳定存在。例如：;2、位错;四、自补偿效应 ;在一些离子性很强的II-VI 族化合物中，往往存在某种形成能很低（低于禁带宽度）的空位。这种材料的电阻率往往会受到这种低形成能缺陷的限制，难以再用掺杂方法加以控制，因为任何相反极性杂质的掺入，都将产生出等量的这种缺陷而将其补偿。;ZnS 室温下的禁带宽度Eg 高达3.7 eV， 而其起施主作用的硫空位 VX 因形成能 ?H 仅为其禁带宽度的0.7倍, 很容易形成。 ;若极性不同的两种空位的形成能相差不大，则可通过空位类型的可控改变，实现材料导电类型的改变;§1-5 典型半导体的能带结构 ;一、能带结构的基本内容及其表征 1、能带结构的基本内容 1）导带极小值和价带极大值的位置，特别是导带 底与价带顶的相对位置及其能量差Eg； 2）极值附近电子或空穴的等能面形状，有效质量（E(k)曲线极值处的曲率半径）的大小； 3）极值能量的简并情况 4）禁带宽度随温度的变化规律 5）禁带宽度随应力的变化规律;2、用布里渊区表征能带结构 ;2）纤锌矿型晶体的布里渊区 ;二、硅和锗的能带结构;Ge导带底附近的八个