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一种高线性GaN基毫米波器件.pdfVIP

一种高线性GaN基毫米波器件.pdf

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    本实用新型公开了一种高线性GaN基毫米波器件。所述器件包括AlGaN/GaN异质结外延层，所述AlGaN/GaN异质结外延层为凸台结构，凸台上方突起部分为有源区，有源区上表面的两端分别连接源电极和漏电极，不同掺杂浓度的p型GaN层位于有源区上表面的源电极和漏电极之间，其中，所述不同掺杂浓度的p型GaN层由不同掺杂浓度，但厚度相同的第一p型GaN和第二p型GaN沿栅宽前后排列形成，并且第一p型GaN的后表面和第二p型GaN的前表面相重合，左右边缘对齐；栅电极位于不同掺杂浓度的p型GaN层的上方。本

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 214043676 U (45)授权公告日 2021.08.24 (21)申请号 202022279368.X H01L 29/06 (2006.01)

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