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- 2023-03-29 发布于四川
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本实用新型公开了一种新型大功率二极管封装结构,包括:安装在所述芯片结构两侧的第一引脚、第二引脚以及包裹在所述第一引脚、第二引脚外侧的塑封结构,所述第一引脚具有第一芯片焊接部、第一PCB板连接部以及第一连接部,所述第二引脚具有第二芯片连接部、第二PCB板连接部以及第二连接部;所述第一连接部中部开设有中空结构,以在所述第一连接部中部与所述芯片结构的第一侧部间形成第一空腔;所述第二连接部中部开设有中空结构,以在所述第二连接部中部与所述芯片结构的第二侧部间形成第二空腔。本实用新型通过设置两个空槽,来增大
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214043648 U
(45)授权公告日 2021.08.24
(21)申请号 202022825800.0
(22)申请日 2020.11.30
(73)专利权人 上海金克半导体设备有限公司
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