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300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷的数值分析 摘要：本文通过数值模拟，对300mm直拉硅单晶生长过程中微缺陷（如氧气聚集、氧气空穴等）进行了分析，主要研究了微缺陷对晶体品质的影响，以及如何通过合理控制生长过程来减小微缺陷。通过建立多物理场耦合的物理模型，分析了氧气浓度梯度、流场、热场等因素对微缺陷的影响。结果表明，适当增加氧气切入速率、改变炉内温度分布等控制手段能够有效减小微缺陷的数量和大小，提高晶体品质。本文研究对于提高硅晶体质量和生长效率具有重要意义。关键词：直拉硅单晶；微缺陷；数值模拟；生长过程；晶体品质1. 引言随着半导体产业的快速发展，越来越多的应用需要高性能硅晶体材料。