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- 2023-04-04 发布于四川
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一种组合磁场与内衬偏压锥形管复合的真空沉积装置,属于表面技术领域,本发明为解决电弧离子镀中大颗粒对薄膜的污染和靶材使用限制、磁过滤电弧等离子体的损失及高功率脉冲磁控溅射放电不稳定等问题。本发明的装置包括:偏压电源、电弧离子镀靶源及电源、多级磁场装置及电源、内衬偏压锥形管装置及偏压电源、活动线圈装置及电源、波形匹配装置、高功率脉冲磁控溅射靶源及电源等装置;薄膜沉积:连接装置,启动系统,待真空室内的真空度小于10‑4Pa时,通入工作气体,开启镀膜电源,偏压电源对等离子体的能量进行调节,多级磁场装置和
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)实用新型专利
(10)授权公告号 CN 214115695 U
(45)授权公告日 2021.09.03
(21)申请号 201822213325.4
(22)申请日 2018.12.26
(66)本国优先权数据
2017219
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