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CCD传感器的基本结构 CCD基本结构分两部分： 1.MOS（金属—氧化物—半导体）光敏元阵列； 2.读出移位寄存器。 电荷耦合器件是在半导体硅片上制作成百上千个光敏元，一个光敏元又称一个像素，在半导体硅平面上光敏元按线阵或面阵有规则地排列。 * ppt课件 MOS光敏元结构 MOS（Metal Oxide Semiconductor,MOS）电容器是构成CCD的最基本单元。 * ppt课件 CCD分辨率 分辨率指的是ＣＣＤ中有多少像素，也就是ＣＣＤ上有多少感光组件，分辨率是图像传感器的重要特性。 （像素=分辨率长宽数值相乘，如：640X480=307200，就是30W像素） CCD分辨率主要取决于CCD芯片的像素数。 其次，还受到传输效率的影响。高度集成的光敏单元可以获得高分辨率。但光敏单元的尺寸的减少将导致灵敏度的降低。 * ppt课件 CCD基本工作原理 1.信号电荷的产生 2.信号电荷的存贮 3.信号电荷的传输 4.信号电荷的检测 工作原理 * ppt课件 CCD工作过程的第一步是电荷的产生。CCD可以将入射光信号转换为电荷输出，依据的是半导体的内光电效应（也就是光生伏打效应）。 1.信号电荷的产生 * ppt课件 信号电荷的产生（示意图） 金属电极 氧化物 半导体 e- e- e- e- e- e- e- 光生电子 入射光 MOS电容器 * ppt课件 CCD工作过程的第二步是信号电荷的收集，就是将入射光子激励出的电荷收集起来成为信号电荷包的过程。当金属电极上加正电压时，由于电场作用，电极下P型硅区里空穴被排斥入地成耗尽区。对电子而言，是一势能很低的区域，称“势阱”。有光线入射到硅片上时，光子作用下产生电子—空穴对，空穴被电场作用排斥出耗尽区，而电子被附近势阱（俘获），此时势阱内吸的光子数与光强度成正比。 2、信号电荷的存储 * ppt课件 一个MOS结构元为MOS光敏元或一个像素，把一个势阱所收集的光生电子称为一个电荷包；CCD器件内是在硅片上制作成百上千的MOS元，每个金属电极加电压，就形成成百上千个势阱；如果照射在这些光敏元上是一幅明暗起伏的图象，那么这些光敏元就感生出一幅与光照度响应的光生电荷图象。这就是电荷耦合器件的光电物理效应基本原理。 * ppt课件 信号电荷的存储（示意图） e- e- 势阱 入射光 MOS电容器 +UG e- e- e- e- e- e- +Uth e- e- 势阱 入射光 MOS电容器 +UG e- e- e- e- e- e- +Uth UG Uth 时 UG Uth 时 * ppt课件 在栅极G电压为零时，P型半导体中的空穴(多数载流子)的分布是均匀的。当施加正偏压UG(此时UG小于p型半导体的闽值电压Uth)，空穴被排斥，产生耗尽区。电压继续增加，则耗尽区将进一步向半导体内延伸。 * ppt课件 每个光敏元（像素）对应有三个相邻的转移栅电极1、2、3,所有电极彼此间离得足够近,以保证使硅表面的耗尽区和电荷的势阱耦合及电荷转移。所有的1电极相连并施加时钟脉冲φ1,所有的2、3也是如此,并施加时钟脉冲φ2、φ3。这三个时钟脉冲在时序上相互交迭。 三个时钟脉冲的时序 * ppt课件 Ф3 P型Si 耗尽区 电荷转移方向 Ф1 Ф2 输出栅 输入栅 输入二极管 输出二极管 SiO2 CCD的MOS结构 * ppt课件 CCD工作过程的第三步是信号电荷包的转移，就是将所收集起来的电荷包从一个像元转移到下一个像元，直到全部电荷包输出完成的过程。 通过按一定的时序在电极上施加高低电平，可以实现光电荷在相邻势阱间的转移。 3、信号电荷的传输（耦合） * ppt课件 (a)初始状态； (b)电荷由①电极向电极②转移； (c)电荷在①②电极下均匀分布；(d)电荷继续由①电极向②电极转移；(e)电荷完全转移到②电极； (f)三相转移脉冲 * ppt课件 图中CCD的四个电极彼此靠的很近。假定一开始在偏压为10V的(1)电极下面的深势阱中，其他电极加有大于阈值的较低的电压(例如2V)，如图(a)所示。一定时刻后，(2)电极由2V变为10V，其余电极保持不变，如图(b)。因为(1)和(2)电极靠的很近(间隔只有几微米)，它们各自的对应势阱将合并在一起，原来在(1)下的电荷变为(1)和(2)两个电极共有，图(C)示。此后，改变(1)电极上10V电压为2 V，(2)电极上10V不变，如图(d)示，电荷将转移到(2)电极下的势阱中。由此实现了深势阱及电荷包向右转移了一个位置。 * ppt课件 CCD工作过程的第四步是电荷的检测，就是将转移到输出级的电荷转化为电流或者电压