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- 2023-04-13 发布于四川
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本发明公开了一种基于等离激元效应的低维半导体光电突触器件的制备方法，从上到下包括上电极对、金属纳米颗粒层、低维半导体层、氧化物层、基底层和底电极，其中金属纳米颗粒层和低维半导体层为异质结层。通过本发明的金属纳米颗粒/低维半导体异质结制备方法制得的异质结应用于光电突触器件，相比现有同质结等制得的光电突触器件，光吸收效率高、光电转化效率高、光敏突触电流信号强。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113451423 A
(43)申请公布日 2021.09.28
(21)申请号 202110852268.8
(22)申请日 2021.07.27
(71)申请人 湖南大学
地址 41
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