晶体生长科学与技术.pptVIP

晶体生长科学与技术 晶体生长科学与技术 坩埚中液面位置对温场的影响 晶体-熔体系统中，假设晶体是各向同性的均匀介质，其密度ρs、比热Cs、热传导系数ks都为常数；同样，熔体亦为各向同性的均匀体，具有相同的密度ρL、比热CL、热传导系数kL；不考虑对流对热传输的影响。 定义埚壁裸露深度为hc，定义表面发射效率η=q/BσT4,0K的绝对黑体的环境中的热量之比，B为与晶体表面性质、环境气体性质有关的常数，σ为斯蒂芬-波尔兹曼常数；可见η为环境温度、不同介质(气体、熔体、坩埚裸露部分)的物性以及环境的几何因素(如坩埚、熔体的面积、形状和立体角)的函数； 研究hc与晶体柱面上的发射效率、熔体液面上的发射效率的关系； 坩埚中液面位置对温场的影响 研究表明，晶体柱面上的发射效率、熔体液面上的有效发射率强烈地依赖于hc； 图上的0，1，2，3，4对应不同hc高度； 晶体柱面发射效率ηs随着hc的增大而迅速降低； 随着hc的增加，熔体自由表面的发射效率ηl也强烈地降低；同样也改变了熔体中的温场； 发射效率η改变 ηs：随着hc的增大而迅速降低； 当hc为3厘米时，从曲线3可以看到，在离开固-液界面2厘米内，晶体柱面上的发射效率为0。这就是说，由于埚壁裸露部分对晶体的辐射，晶体的这一段根本无法通过辐射将热量由晶体表面(柱面)耗散出去； 当hc为4厘米时，在离开