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线框大小对TEM探测低阻体的影响 由于低电阻材料的电学性能优良，因此越来越多的应用需要低电阻材料，如热敏电阻、替代金属的导电材料、导电胶等。因此，开发有效的测试方法以确定低电阻样本的电学性能就显得尤为重要。 本文将探讨线框大小对TEM探测低阻体的影响，并提出了一种新的方法，可以在TEM中更准确地测量低阻体的电学性能。 实验方法 我们使用两种电子透射样品，分别是硅和铜。硅为高电阻物质，其电阻率约为300 Ω cm，而铜为低电阻物质，其电阻率约为1.68 μΩ cm。 我们制备了五个不同的线框尺寸，分别为1 μm、2 μm、3 μm、4 μm和5 μm。然后使用电子束确定了每个线框的准确位置。 接下来，我们使用TEM测量了硅和铜样品的电学性能，测量数据的准确性是通过比较其与恒流源法得到的数据来验证的。 结果与讨论 我们的实验结果表明，线框大小与TEM探测低阻体的电学性能存在非常明显的关系。较小的线框可以提高测量的分辨率，但同时也增加了噪声的影响。较大的线框可以减少噪声，但可能混合其他材料，从而影响了测量的准确性。因此，选择线框大小需要权衡这两个因素。 结论 本文研究表明线框大小对TEM探测低阻体的电学性能有显著影响。因此，在选择线框大小时需要根据实际需求进行选择。此外，我们提出了一种新的方法，可以在TEM中更准确地测量低阻体的电学性能。这种方法可以帮助科学家更好地探究低电阻样品的电学性能，为低电阻材料的开发提供更加可靠的测试方法。