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一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置.pdfVIP

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  • 2023-04-15 发布于四川
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一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置.pdf

    本实用新型公开了一种小厚度半导体锗衬底单面研磨装置，包括配重压块、不锈钢卡块、陶瓷盘、吸附垫、圆定盘和研磨台；不锈钢卡块和陶瓷盘均为环形结构，不锈钢卡块连接在陶瓷盘上表面，配重压块活动卡合在不锈钢卡块的内环中；吸附垫的数量为三块以上，吸附垫均布在陶瓷盘下表面、且吸附垫的吸附面朝下；研磨台上设有截面为倒三角形的收集槽，收集槽的正上方设有多孔导流板，多孔导流板上分布有导流孔，收集槽的侧面底部设有放料管，放料管上设有控制阀；圆定盘活动置于多孔导流板上；陶瓷盘活动置于圆定盘上，吸附垫位于陶瓷盘和圆定盘之

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)实用新型专利 (10)授权公告号 CN 215659668 U (45)授权公告日 2022.01.28 (21)申请号 202122245869.0 (22)申请日 2021.09.16 (73)专利权人 中锗科技有限公司 地

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