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- 2023-04-16 发布于四川
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实施方式提供一种高性能的半导体装置。半导体装置具备:裸片焊盘,具有上表面;半导体芯片,设置在上表面之上;第一焊料,将上表面与半导体芯片接合;第一金属膜,设置在半导体芯片之上;第一绝缘膜,设置在第一金属膜之上,并具有第一开口部;连接器,具有第一端部和第二端部,第一端部设置在第一开口部内的第一金属膜之上;第二金属膜,设置在第一开口部内,具有设置为包围第一金属膜的与第一端部接触的部分的多个第二开口部,并设置于连接器的第一端部与第一金属膜之间;多个第二绝缘膜,分别在多个第二开口部内与第一金属膜直接相接设
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115841999 A
(43)申请公布日 2023.03.24
(21)申请号 202210076831.1
(22)申请日 2022.01.24
(30)优先权数据
2021-154483 202
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