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半导体装置.pdfVIP

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  • 2023-04-16 发布于四川
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半导体装置.pdf

    实施方式提供具有高耐压、低电阻及高可靠性的半导体装置。一实施方式的半导体装置具备：半导体的基板；基板的包括表面的表面区域中的第1导电型的第1阱；第1阱的表面的区域中的第2导电型的第1杂质区域；第2导电型的第2杂质区域，在基板的表面区域中与第1杂质区域一起夹着第1阱的一部分；基板的表面上的第1绝缘体；栅电极，在第1绝缘体上跨第1阱的一部分及第2杂质区域的一部分；第2绝缘体，跨栅电极的上表面上及第2杂质区域的上方的区域；及第2绝缘体上的第1导电体。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115842036 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202210083530.1 H01L 27/06 (2006.01) (22)申请日 2022.01.

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