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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdfVIP

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  • 2023-04-16 发布于四川
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半导体装置及半导体装置的制造方法.pdf

    本发明实施方式提供提高了栅极焊盘的密合性的半导体装置及其制造方法。实施方式的半导体装置具备硅基板、第1层、第2层、阻挡金属和栅极焊盘。上述第1层由上述硅基板上所具备的氧化膜形成。上述第2层是在上述第1层的上表面中至少选择性地具有凹凸部的层，上述凹凸部具有比在以平面状形成该层的情况下产生的凹凸深的凹凸。上述阻挡金属在上述第2层2的上表面按照上述凹凸部的形状而形成。上述栅极焊盘介由上述阻挡金属与上述硅基板密合。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 115841942 A (43)申请公布日 2023.03.24 (21)申请号 202210127975.5 (22)申请日 2022.02.11 (30)优先权数据 2021-153436 202

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