晶体振荡器的应用.docx

晶体振荡器的应用 李德昌 引言 石英晶体作为滤波、振荡元件已广泛应用在广播通讯、电子测量、航空、航天等方面。其发展历史只有短短几十年,美国是发展石英晶体最早的国家,而像 CORNIGN 这样的老牌公司也只是在 1941 年才注册成立。最近一、二十年来,由于 PCS、GSM、GPS、PDC、CDMA 等诸多移动通讯技术的需求,石英晶体振荡器中的石英晶体谐振器不再是单一元件,它已发展成为组件,而且几乎全部以集成化、全集成化、全数字化形式展现出来,体积比过去缩小了数倍乃至数十倍。 晶体振荡器的组成和分类 晶体振荡器的组成 晶体振荡器由晶体振荡电路和输出电路两部分构成。 振荡电路 晶体振荡器电路分为并联晶体振荡电路和串联晶体振荡电路,常用并联晶体振荡电路。晶体工作在串联谐振频率ω S 和并联谐振频率ω P 之间,即呈现感抗。而振荡性能的优劣由晶体的品质、切割取向、振子结构及振荡电路共同决定。图 1 为 AT 切割和 SC 切割的频率 温度特性曲线。可以看出,SC 切割有高的静态和动态 f－t 稳定性、良好的老化率和相位噪声,但缺点是频率牵引灵敏度低、成本高。 图 1 最常用的振荡电路是集电极交流接地的考毕兹振荡电路（如图 2 所示）。此电路的优点是电路简单、可靠、稳定。 图 图 2 输出电路 输出电路的作用是对振荡获得的正弦信号进行缓冲、放大、整形,得到图 3 所示的标准输出电平,驱动负载或后级门电路。这里,还经常用到逻辑电平转换电路和分频、倍频电路。 图 3 其输出正弦波电平用 Vp-p、VRMS 或 dBm 表示,dBm 的计算式为： dBm 10 log(  P 1mW  ) 必要时,还须 注明谐波抑制比。方波或矩形波输出电平应注明 TTL、CMOS、HCMOS 还是 ECL、直流分量值，并且表示出占空比、上升时间、下降时间等其它相应参数。 标准输出负载为 50Ω 、1kΩ 、10kΩ ∥10pF 或用驱动几个门电路表示,如驱动 2 个门,5 个门电路。 对晶体振荡器的噪声系数有特殊要求时,则应严格设计振荡、放大电路及电源。譬如主振选用低噪声管、低噪声压控电压并使振荡在低电压工作,各级电路必须匹配以保证无反射、辐射。 晶体振荡器常用标频、术语及电源 晶体振荡器常用标频（MHz,包括倍频/分频） 1.64，4.096，5，5.2，6.4，7.68，9.6，10，12，12.8，13，15，16.384，18.432，19.2，20，26， 30，32.768，38.88，40.96，51.2，60，70， 80，91.2，100。 术语标称频率 工作温度范围 频率温度稳定度 负载频率允差 电压频率允差 短期频率稳定性日老化 年 老 化 压控电压 压控线性度压控灵敏度 基准温度初始精度 起动电流稳态电流相位噪声 电源 晶体振荡器应选用稳压性能好、温度漂移小的直流电源。输入电压变化±5％或±10％时,输出电压在 10ppm/℃～100ppm/℃之间。常用电源电压为 3.3V、5V、9V、12V、24V、－5.2V 或－5V。 晶体振荡器的分类 根据振荡电路调频,稳频方法将晶体振荡器分为以下 5 种： 普通晶体振荡器 PXO（Packaged X＇tal Osillator） 晶体振荡频率固定,频率温度性能主要由晶体温度性能决定的晶体振荡器被称为简式晶振。其电路简单,但频率稳定度低,常用作时钟振荡器。 晶体等效电路如图 4 所示,通常 L：10mH～1000mH C:0.0002pF～0.1pF R：100Ω CO:1pF～100pF 图 4 串联谐振频率ω s 和并联谐振频率ω p 分别为? ? s , ? ? 1L C 1 L C q q 。品质因数 1C ? 1 C ? C L C C 0 q 1? L 1 \ qQ ? \ q q ? ? C R q q , 可 达 104～ 106,加上稳定的电路,可轻易地获得 1×10－5 的频率温度稳定度。 压控晶体振荡器 VCXO（Voltage Controlled X＇tal Osillator） 用调节外电压的方法改变晶体串联的变容管结电容以牵引振荡频率,称为压控晶振。其可用频率范围为 10MHz～1700MHz,典型频率范围为 40MHz～80MHz,频率牵引范围为±10ppm～±200ppm,最大为±500ppm。压控晶振也未对晶体进行任何补偿,它主要应用在全球移动通讯、个人蜂窝电话和通讯基站中。 温度补偿晶体振荡器 TCXO（Temperature Compensated X＇tal Osillator） 通过附加温度补偿网络,使环境温度变化后晶体串联回路电容反向变化,以抵消晶体所产生的频率—温度漂移。参见图 5 温度补偿曲线,Ⅰ为 AT 切型晶体频率—温度特